Integrált áramkörökben alkalmazott SiO2
Noha a szilícium félvezető anyag, a SiO2 jó szigetelő anyag, és rendkívül stabil kémiai tulajdonságokkal rendelkezik, ezek a kiváló tulajdonságok miatt rendkívül széles körű alkalmazhatóságot kínál az IC gyártásban. Elmondható, hogy nemcsak a " szilícium " vezet a Szilícium korszakba, hanem a SiO2 fő felhasználási területei is. Az IC gyártásban a SiO2 a következő szempontokban tükröződik:
1. szennyeződések elfedése
A szilícium-dioxid maszkoló szerként szolgál a szennyeződések diffúziójához. Az IC gyártásban a bór, foszfor és arzén diffúziója a szilícium-dioxid-filmekben sokkal lassabb, mint a szilíciumban. Ezért a leggyakrabban
A félvezető eszközök különféle régióinak (például a tranzisztorok forrás- és leeresztő régióinak) előállítására alkalmazott módszer az, hogy először a szilícium ostya felületére réteg SiO2-oxid fóliát állítanak elő, a fotolitográfia és a fejlesztés után, majd az oxid-fólia maratására a felületen az adalékolt régió részét képezi, ezáltal dopping ablakot képez,
és végül szelektíven az ablakon át a szennyeződés. A Chi-t befecskendezzük a megfelelő területre.
2. kapu-oxid
Az MOS / CMOS integrált áramkörök gyártási folyamatában a SiO2-at általában MOS tranzisztorok szigetelő kapu dielektrikájaként használják, azaz kapu-oxid rétegként.
3. dielektromos szigetelés
Az IC gyártásnál az izolációs módszerek között szerepel a PN csatlakozási és dielektromos izolálás, amelyekben az dielektromos izolálást általában SiO2-oxid film választja. Például, a CMOS-folyamatban használt mezői oxigén (a PMOS és az NMOS tranzisztorok izolálására szolgál) egy SiO2 film, amelyet a PMOS és az NMOS tranzisztorok aktív régióinak izolálására használnak.
4. szigetelő közeg
A szilícium-dioxid jó szigetelő anyag, tehát a többrétegű fémvezetékek szerkezetéhez szigetelő közegként használják a fém felső és alsó rétege között, megakadályozva a rövidzárlatot a fémek között.